ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTA115ET,215
Datasheet下载- 型号： PDTA115ET,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA115ET,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA115ET,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTA115ET,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)。您可以下载PDTA115ET,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA115ET,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA115ET,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款PNP型预偏置双极晶体管（BRT），内置基极-发射极电阻（R₁=100 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=100 kΩ），具备150 mA连续集电极电流（IC）和50 V集电极-发射极击穿电压（VCEO），采用SOT-23小型表面贴装封装。 其典型应用场景包括： ✅ 数字逻辑接口电平转换与驱动：如将微控制器（MCU）的3.3 V/5 V GPIO信号直接驱动LED、小功率继电器或MOSFET栅极； ✅ 负载开关控制：用于低功耗便携设备（如TWS耳机、可穿戴设备）中控制传感器、指示灯等外围模块的电源通断； ✅ 反相器与简单开关电路：利用其内置偏置电阻简化外围设计，替代传统三极管+2个外置电阻方案，节省PCB面积并提升一致性； ✅ 电池供电系统的省电管理：因输入电流需求小（典型IB仅数微安即可饱和导通），适合对静态功耗敏感的IoT终端与遥控器等应用； ✅ 工业与家电中的信号隔离与缓冲：在PLC输入模块、智能电表、白色家电控制板中，实现MCU与高压/噪声敏感电路间的可靠隔离切换。 该器件无需外部偏置电阻，显著降低BOM成本与设计复杂度，适用于高可靠性、小体积、批量生产的消费电子与工业控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP W/RES 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA115ET,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTA115ET,215 |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-2109-1 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 100 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 20 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTA115ET T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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