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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTC123EMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC123EMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC123EMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTC123EMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC123EMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC123EMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PDTC123EMB,315 是一款预偏置双极性晶体管（BJT），集成了内置电阻，简化了电路设计。该器件属于数字晶体管类别，适用于需要紧凑、高效开关功能的低功率应用。 典型应用场景包括：各类便携式电子设备中的信号切换与逻辑控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块；家用电器中的小型电机驱动或LED指示灯控制；以及消费类电子产品中的接口电路电平转换与驱动。由于其内置偏置电阻（通常为基极-发射极和基极-串联电阻），该晶体管无需外接偏置元件，有效节省PCB空间并提升可靠性。 PDTC123EMB,315具有低导通电流和快速开关特性，适合用于低电压、低功耗环境下的开关操作，例如微控制器输出信号的缓冲与放大、传感器信号调理电路中的开关控制等。此外，其SOT-23封装小巧，便于高密度贴装，广泛应用于自动化控制模块、通信设备和工业电子系统中。 总体而言，该型号适用于对尺寸、功耗和设计简洁性有较高要求的中低端功率开关场景，是替代传统分立BJT加电阻组合的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC123EMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065948315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | 230MHz |
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