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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTC123EMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC123EMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC123EMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTC123EMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC123EMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC123EMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC123EMB,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极电阻（R₁=2.2 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=10 kΩ），采用超小型 SOT883（DFN1006-3）封装，具有低功耗、高可靠性及简化外围电路设计等优势。 其典型应用场景包括： ✅ 数字逻辑电平转换与开关控制：常用于微控制器（如MCU、GPIO）驱动LED、小功率继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，因内置偏置电阻，可直接由3.3V/5V逻辑电平驱动，无需外接偏置电阻。 ✅ 便携式电子设备的负载开关：适用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备等空间受限产品中，实现低功耗信号切换或电源通断控制。 ✅ 传感器接口电路：作为光电耦合器输入级、霍尔传感器或按键检测电路中的信号放大/整形开关元件。 ✅ 电池供电系统的状态指示与保护：例如在充电管理或电量监测模块中，驱动状态LED或触发低压告警开关。 该器件具备高直流电流增益（hFE=30–150 @ Ic=10mA）、低饱和压降（VCE(sat)≈0.1V @ Ic=10mA）、快速开关特性（tf < 10 ns），且符合AEC-Q200（汽车级）标准（部分批次），亦可用于车载信息娱乐系统中的非安全关键信号开关。 综上，PDTC123EMB,315 主要面向对尺寸、BOM精简及可靠性要求较高的中低电流（≤100mA）通用开关应用，是传统分立BJT+电阻方案的理想集成替代品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC123EMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065948315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | 230MHz |
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