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  • 型号: PDTA143EU,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA143EU,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA143EU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA143EU,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTA143EU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA143EU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PDTA143EU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款内置基极-发射极偏置电阻(R1=R2=4.7 kΩ)的 NPN 型数字晶体管(Digital Transistor, DTR),属于预偏置双极结型晶体管(BJT)。其典型应用场景包括:

• 逻辑电平接口转换:可直接连接微控制器(如 GPIO)输出(3.3V/5V),无需外置偏置电阻,简化电路,驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极等负载。

• 通用开关控制:适用于消费电子(如电视、机顶盒、打印机)中的板级信号切换、状态指示灯控制、蜂鸣器驱动等低频开关(f<100 kHz)场合。

• 电平位移与信号整形:在I²C、UART等总线中作上拉/缓冲开关,或用于反相器功能(输入高电平→集电极输出低电平)。

• 空间受限设计:SOT-323(SC-70)微型封装(2.2 × 2.2 × 0.95 mm),适合便携设备、可穿戴产品及高密度PCB布局。

注意:该器件非功率器件(IC max = 100 mA,Ptot = 250 mW),不适用于电机驱动、AC负载或大电流开关;亦不推荐用于线性放大。典型工作温度范围为−65°C 至 +150°C,具备良好ESD防护(HBM > 8 kV),适合工业及消费级可靠应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA143EU,115-

数据手册

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产品型号

PDTA143EU,115

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 10mA,5V

产品种类

Transistors - Arrays

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

568-11235-6

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

4.7 kOhms

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

4.7k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PDTA143EU T/R

频率-跃迁

-

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