Datasheet下载- 型号： NSBA124EF3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA124EF3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA124EF3T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA124EF3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA124EF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA124EF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSBA124EF3T5G是一款预偏置双极晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化了电路设计。该器件属于晶体管-双极（BJT）-单，预偏置类型，采用SOT-23（SC-59）小型封装，适合高密度贴装。 其典型应用场景包括： 1. 开关电路：由于集成偏置电阻，NSBA124EF3T5G可直接通过数字信号（如来自微控制器的GPIO）驱动，广泛用于LED驱动、继电器控制和电源开关等低功率开关应用。 2. 逻辑电平转换：在不同电压域之间进行信号转换时，该器件可用作电平移位器，适用于MCU与外围设备之间的接口电路。 3. 信号放大：在小信号处理系统中，可用于音频或传感器信号的初级放大，尤其适合对空间和元件数量敏感的设计。 4. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，用于各类控制和检测电路，得益于其小型化和高可靠性。 5. 工业控制与汽车电子：在车载信息娱乐系统、传感器模块和ECU中，用于信号切换与驱动功能，符合AEC-Q101车规认证，具备良好的温度稳定性和耐用性。 NSBA124EF3T5G的优势在于减少外部元件数量、降低PCB面积、提升生产良率，并增强电路稳定性。其最大集电极电流约100mA，适用于低功耗场景，是替代传统分立BJT加电阻组合的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA124EF3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-1123 |
| 功率-最大值 | 254mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1123 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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