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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA143EE,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA143EE,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA143EE,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTA143EE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA143EE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 PDTA143EE,115 的晶体管,属于 NXP USA Inc. 生产的 预偏置双极结型晶体管(BJT),其主要功能是用于 开关电路和逻辑控制电路 中。 该晶体管内部集成了一个或多个偏置电阻,使得其在应用中无需外部偏置电路即可工作,从而简化电路设计、节省PCB空间并提高可靠性。典型应用场景包括: 1. 数字开关电路:用于控制LED、继电器、小型电机等负载的通断。 2. 逻辑电平转换:在不同电压等级的逻辑电路之间进行信号转换。 3. 嵌入式系统中的接口电路:如微控制器与外围设备之间的信号驱动。 4. 消费类电子产品:如手机、平板、智能家电中的低功耗控制电路。 5. 汽车电子:用于车身控制模块(BCM)中的灯光控制、传感器信号处理等。 由于其封装小巧(如SOT-23)、集成度高,适合高密度PCB布局,广泛应用于中低功率的便携式设备和自动化控制系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA143EE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTA143EE,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 10mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 934051790115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 封装/箱体 | SC-75-3 |
| 峰值直流集电极电流 | - 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 零件号别名 | PDTA143EE T/R |
| 频率-跃迁 | - |