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Datasheet下载- 型号： RN2106CT(TPL3)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2106CT(TPL3)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2106CT(TPL3)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2106CT(TPL3)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN2106CT(TPL3)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN2106CT(TPL3) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的RN2106CT(TPL3)是一款预偏置双极晶体管（BJT），属于NPN型单晶体管，内置偏置电阻，简化了外部电路设计。该器件广泛应用于便携式电子设备和中低功率控制电路中。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的信号切换与逻辑控制；各类电源管理电路中的开关控制，如DC-DC转换器的驱动级；LED驱动电路中用于通断控制；以及小型电机、继电器等负载的驱动应用。由于其内置偏置电阻，无需外接基极电阻，有效减小PCB面积，适合高密度布局的便携设备。 此外，RN2106CT(TPL3)也常用于各类传感器模块、无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙模块）中的电平转换与信号放大，提升系统集成度与可靠性。其SMT封装（如SOT-563）支持自动化贴装，适用于大规模生产。 总体而言，该型号因其小型化、高可靠性与简化设计的优势，特别适用于空间受限、功耗敏感且需要稳定开关性能的现代电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN PNP CST3 -20V -50A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2106CT |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RN2106CT(TPL3) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | CST3 |
| 其它名称 | RN2106CT(TPL3)DKR |
| 功率-最大值 | 50mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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