Datasheet下载- 型号： MUN2112T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2112T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2112T1G价格参考。ON SemiconductorMUN2112T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2112T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2112T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2112T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置型双极性晶体管（BJT），属于数字晶体管的一种，内部集成了基极电阻和下拉电阻，简化了外部电路设计。该器件采用SOT-23封装，体积小，适合高密度贴装。 其主要应用场景包括： 1. 开关电路：由于内置偏置电阻，MUN2112T1G非常适合用作电子开关，广泛应用于各类中小功率开关控制，如LED驱动、继电器驱动、电源通断控制等。 2. 逻辑电平转换：在数字系统中，可用于不同电压逻辑之间的信号转换，例如将3.3V单片机信号控制5V负载，实现安全可靠的电平接口匹配。 3. 微控制器接口驱动：常用于MCU或FPGA输出端口的缓冲与驱动，增强驱动能力，保护主控芯片。 4. 消费类电子产品：广泛应用于手机、平板、智能家居设备中的信号控制与小型负载驱动。 5. 工业控制与便携设备：因其高可靠性与小型化特性，适用于传感器信号切换、电池供电设备中的低功耗开关应用。 MUN2112T1G具有良好的温度稳定性与可靠性，工作温度范围宽（-55°C至+150°C），符合工业级应用要求。同时，该器件为无铅环保产品，满足RoHS标准，适合现代绿色电子产品设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN2112T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN2112T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | MUN2112T1GOSCT |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 功率耗散 | 338 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MUN2112 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |
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