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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5234T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5234T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5234T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN5234T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5234T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5234T1G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于单晶体管器件。该器件集成了基极偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。 主要应用场景包括: 1. 开关电路:适用于数字电路中的开关应用,如逻辑控制、继电器驱动、LED驱动等,因其内置偏置电阻,可减少外围元件数量,提高电路稳定性。 2. 放大电路:用于小信号放大器中,例如音频信号前置放大或传感器信号调理电路,具备良好的高频响应和增益特性。 3. 电源管理:可用于DC-DC转换器、负载开关或电源控制器中,实现对电流的高效控制。 4. 汽车电子系统:由于ON Semiconductor的产品多符合汽车行业标准,MUN5234T1G也常用于车载控制系统、车灯驱动模块等场景。 5. 消费类电子产品:如手机充电器、智能家电控制板、小型电机驱动电路中,适用于需要小型化与高可靠性的设计。 该器件采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,广泛应用于中低功率的模拟与数字电路中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5234T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |