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  • 型号: RN1306,LF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RN1306,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1306,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1306,LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RN1306,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN1306,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Toshiba Semiconductor and Storage的RN1306,LF是一款预偏置的双极晶体管(BJT),属于单晶体管类型。这种型号的应用场景主要集中在需要高频率、低噪声和高增益的电路中,以下是其具体应用场景:

 1. 射频(RF)放大器
   - RN1306,LF具有出色的高频特性,适用于射频信号放大。它可以在无线通信设备(如对讲机、无线模块等)中用作低噪声放大器(LNA),提升信号强度同时降低噪声干扰。

 2. 混频器电路
   - 在射频和中频转换过程中,该晶体管可以用于混频器设计。通过非线性工作模式,实现频率变换功能,广泛应用于收音机、调制解调器等设备。

 3. 振荡器电路
   - 该晶体管适合构建高频振荡器,例如LC振荡器或晶体振荡器。在时钟生成、信号发生器以及无线发射器中发挥重要作用。

 4. 音频前置放大器
   - 凭借其低噪声特性和高增益性能,RN1306,LF可用于音频设备的前置放大阶段,提高微弱信号的质量,适用于麦克风放大器或耳机放大器。

 5. 检测与控制电路
   - 在传感器信号检测和控制领域,这款晶体管可以用作信号放大元件,将微弱的输入信号放大到可处理的电平范围,常见于工业自动化和医疗设备中。

 6. 高频开关应用
   - 虽然BJT通常不如MOSFET适合开关用途,但RN1306,LF在某些高频小功率开关场景下仍然表现良好,例如脉冲调制电路或数据传输中的信号切换。

总结来说,RN1306,LF凭借其优异的高频特性和预偏置设计,在通信、音频处理、信号检测等领域有着广泛的用途。选择该晶体管时需根据实际需求匹配合适的外围电路参数以确保最佳性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 50V 100MA USM

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1302

产品图片

产品型号

RN1306,LF

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223

供应商器件封装

USM

其它名称

RN1306LFDKR

功率-最大值

100mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-70,SOT-323

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

频率-跃迁

250MHz

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