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DTC114TEBTL产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC114TEBTL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC114TEBTL价格参考¥0.26-¥0.30。ROHM SemiconductorDTC114TEBTL封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)。您可以下载DTC114TEBTL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC114TEBTL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的DTC114TEBTL是一款预偏置的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 音频放大器:该晶体管适用于低噪声、高保真的音频信号放大,特别是在前置放大器或功率放大器中,能够提供稳定的增益和较低的失真。 2. 开关电路:由于其预偏置特性,DTC114TEBTL在开关应用中表现出色,例如继电器驱动、LED驱动或小型电机控制等场景,能够实现快速且可靠的开关操作。 3. 信号调节与处理:可用于各种信号调节电路,如电平转换、信号缓冲或传感器信号放大等,确保信号的准确性和稳定性。 4. 电源管理:在一些简单的电源管理电路中,如线性稳压器或电流限制电路,这款晶体管可以作为关键元件,帮助维持输出电压或电流的稳定。 5. 通信设备:在低功率射频(RF)或中频(IF)电路中,DTC114TEBTL可用于信号放大或混频器应用,支持高效的信号传输和处理。 6. 消费电子:广泛应用于各类家用电器、遥控器、玩具及便携式电子产品中,提供必要的信号放大和开关功能。 总之,DTC114TEBTL凭借其预偏置设计和稳定的性能表现,非常适合需要精确控制和高效放大的电路设计,同时也能满足多种工业和消费类应用的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANSISTOR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC114TEBTL- |
数据手册 | |
产品型号 | DTC114TEBTL |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | EMT3F |
其它名称 | DTC114TEBTLDKR |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 150mW |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-89,SOT-490 |
封装/箱体 | EMT-3F |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 100 mA |
频率-跃迁 | 250MHz |