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产品简介:
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MUN5135T1 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),其内部集成了基极偏置电阻,简化了电路设计,常用于开关和逻辑控制电路。该器件适用于需要低成本、小尺寸和良好稳定性的应用场合。 典型应用场景包括: 1. 逻辑电平转换:用于数字电路中不同电压域之间的信号转换,例如将3.3V逻辑信号控制5V供电的负载。 2. 负载开关控制:驱动继电器、LED、小型电机或其他低功率负载,利用其预偏置结构减少外围元件数量。 3. 接口电路:作为微控制器或逻辑IC与高电流负载之间的接口,实现信号放大与隔离。 4. 便携式电子产品:如智能手机、平板电脑、穿戴设备等,因其小封装和低功耗特性适合空间受限的设计。 5. 工业控制:用于传感器信号处理、继电器驱动、报警系统等工业自动化应用中。 该晶体管采用SOT-23小外形封装,便于表面贴装,适合大批量自动化生产。由于其内置偏置电阻,设计人员无需额外配置偏置电路,提高了电路可靠性并节省PCB空间。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5135T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |