Datasheet下载- 型号： NSBA123EF3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA123EF3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA123EF3T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA123EF3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA123EF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA123EF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSBA123EF3T5G是一款预偏置双极结型晶体管（BJT），属于单NPN型器件，内置基极-发射极电阻，简化电路设计。该器件广泛应用于需要小型化、高可靠性和低功耗控制的场景。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑中的LED驱动、电源开关和信号切换电路，得益于其小尺寸（SOD-523封装）和低功耗特性。 2. 消费类电子产品：用于遥控器、玩具、家用电器中的逻辑控制与继电器驱动，预偏置电阻设计减少了外围元件数量，降低成本与PCB空间。 3. 工业控制：在传感器信号调理、微控制器I/O扩展、低功率负载开关中实现高效通断控制。 4. 通信设备：适用于接口电平转换、小信号放大及射频模块中的偏置电路。 5. 汽车电子：用于车身控制模块（如车灯控制、风扇驱动）、车载信息娱乐系统中的低电流开关应用，具备良好的温度稳定性（工作温度可达150°C）。 NSBA123EF3T5G因其集成电阻、高增益和快速开关特性，特别适合空间受限且要求高集成度的设计。同时，该器件符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，适用于环保型电子产品制造。总体而言，它是一款高性价比、易于使用的通用型预偏置晶体管，适用于多种低压、低电流的数字与模拟开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSBA123EF3T5G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 254mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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