Datasheet下载- 型号： MUN5231T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5231T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5231T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5231T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5231T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5231T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5231T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化了电路设计。该器件属于NPN型，采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度贴装。 其主要应用场景包括便携式电子设备和中低功率开关电路。常见用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换与逻辑控制；在电源管理模块中作为开关元件，控制LED背光或指示灯的通断；也广泛应用于消费类电子产品如机顶盒、路由器中的小信号放大与驱动功能。 由于集成偏置电阻，MUN5231T1G无需外接基极电阻，减少了外围元件数量，提高了系统可靠性，特别适用于空间受限、要求高稳定性的场合。此外，在工业控制、传感器信号调理、小型继电器或蜂鸣器驱动电路中也有广泛应用。 该器件具有良好的开关特性与温度稳定性，工作温度范围宽（-55°C 到 +150°C），适合严苛环境下的应用。总体而言，MUN5231T1G是一款高集成度、高可靠性的预偏置晶体管，适用于各类需要简化设计、节省PCB空间的低压、低电流开关与控制场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5231T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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