Datasheet下载- 型号： SMUN2212T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN2212T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN2212T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN2212T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SMUN2212T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN2212T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN2212T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），属于NPN结构，采用SOT-23封装。该器件集成了内置的基极-发射极电阻，简化了外部电路设计，特别适用于需要小型化和高可靠性的应用场合。 典型应用场景包括： 1. 开关电路：由于其预偏置电阻设计，SMUN2212T1G可直接通过数字信号驱动，广泛用于便携式电子产品中的LED驱动、电源开关、继电器或负载控制等低功率开关应用。 2. 逻辑电平转换：在数字系统中实现不同电压逻辑之间的信号转换，如将3.3V MCU信号转换为5V输出，常用于微控制器接口电路。 3. 便携设备：因其小尺寸和低功耗特性，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中，用于信号放大或通断控制。 4. 传感器驱动与接口电路：在各类传感器模块中作为驱动元件，用于接通信号路径或增强驱动能力。 5. 替代传统分立晶体管+电阻组合：减少PCB面积和元件数量，提高组装效率和可靠性。 该器件具有良好的开关速度、稳定的电气性能和符合RoHS的环保特性，适合自动化生产和高密度贴装。总体而言，SMUN2212T1G是一款高集成度、易用性强的通用型预偏置晶体管，适用于多种低频、低功率模拟与数字控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59开关晶体管 - 偏压电阻器 SS SC59 BR XSTR NPN SPCL |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor SMUN2212T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SMUN2212T1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 系列 | MUN2212 |
| 频率-跃迁 | - |
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