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Datasheet下载- 型号： PDTA143TT,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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PDTA143TT,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA143TT,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA143TT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTA143TT,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTA143TT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA143TT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA143TT,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极间电阻（R1=4.7kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R2=4.7kΩ），属数字晶体管（Digital Transistor, DTR）类别。其典型应用场景包括： - 逻辑电平接口与信号切换：常用于微控制器（如ARM、MCU）IO口驱动，将3.3V/5V TTL/CMOS逻辑电平直接转换为开关控制信号，无需外置偏置电阻，简化PCB设计。 - LED驱动电路：适用于中低电流LED（≤100mA）的恒流/开关驱动，如状态指示灯、背光控制等，内置电阻确保稳定导通与快速关断。 - 继电器/小功率负载驱动：驱动小型电磁继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，提供可靠开关功能，提升系统抗干扰能力与可靠性。 - 电源管理中的使能/复位控制：在DC-DC模块或LDO电路中用作使能（EN）或复位（RESET）信号缓冲与电平转换。 - 消费电子与工业控制板卡：广泛应用于打印机、家电主控板、IoT传感器节点、智能电表等对空间、BOM成本和可靠性要求较高的场景。 该器件采用SOT-23封装，体积小、功耗低（P<250mW），具备良好的温度稳定性与ESD防护能力（HBM ±4kV），适合高密度、低成本、快速开发的嵌入式应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA143TT,215 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-11236-2 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
