Datasheet下载- 型号： PDTA124EM,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA124EM,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA124EM,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA124EM,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA124EM,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA124EM,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA124EM,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款内置基极-发射极偏置电阻（R1=220 kΩ，R2=220 kΩ）的PNP型数字晶体管（Digital Transistor, DTR），属于预偏置双极结型晶体管（BJT）单管。其典型应用场景包括： • 逻辑电平接口与信号切换：常用于微控制器（如ARM、MCU）IO口驱动，直接接收3.3V/5V TTL/CMOS电平，无需外置偏置电阻，简化PCB设计，提高可靠性。 • 小功率开关应用：适用于LED驱动（限流约20mA）、蜂鸣器控制、继电器线圈驱动（≤100mA负载）、小型电磁阀等低功耗负载的通断控制。 • 电平转换与反相器：利用其PNP结构和内置电阻，可构建简易反相缓冲电路，实现信号极性翻转或电压域适配（如5V系统控制3.3V侧使能信号）。 • 电池供电设备：具备低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.1V @ IC=10mA）和较小输入电流（IB≈15μA），有助于降低待机功耗，适用于便携式仪表、IoT传感器节点等。 • 工业与消费电子：广泛用于打印机、家电控制板、电源管理模块中的状态指示、故障保护信号隔离等场景。 该器件采用SOT-323（SC-70）超小型封装，适合高密度贴装；符合AEC-Q101（部分批次），亦可用于车载非安全相关模块。注意：不适用于线性放大或高频开关（fT仅~150MHz，且为开关优化设计）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA124EM,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 568-2118-2 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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