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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN4302RTA由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN4302RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJN4302RTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJN4302RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJN4302RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN4302RTA 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。其主要特点是内置偏置电阻,简化了外围电路设计,提高了电路稳定性,适用于需要快速开关和稳定偏置的场景。 应用场景包括: 1. 数字开关电路:由于其内置偏置电阻,适合用于逻辑控制的开关电路中,如微控制器输出驱动、继电器控制等。 2. 放大电路:可用于音频信号或小信号放大,适用于低功率放大器设计。 3. 电源管理电路:如DC-DC转换器、负载开关等,实现对电流的高效控制。 4. 汽车电子系统:ON Semiconductor的器件常用于汽车电子,如车灯控制、传感器信号调理等,FJN4302RTA具有较好的温度稳定性,适合该类应用。 5. 工业控制与自动化:在PLC模块、传感器接口电路中作为驱动或信号处理元件。 6. 消费类电子产品:如智能家电、充电器、LED驱动等,适用于对空间和外围元件数量有要求的设计。 该晶体管因其集成度高、使用方便、稳定性好,广泛应用于中低功率、中低频率的电子电路中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP Si Transistor Epitaxial |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Fairchild Semiconductor FJN4302RTA- |
数据手册 | |
产品型号 | FJN4302RTA |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | FJN4302RTACT |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 300mW |
功率耗散 | 0.3 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 240 mg |
发射极-基极电压VEBO | - 10 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Ammo Pack |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
系列 | FJN4302R |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | - 0.1 A |
零件号别名 | FJN4302RTA_NL |
频率-跃迁 | 200MHz |