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  • 型号: PSMN1R5-40ES,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R5-40ES,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R5-40ES,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R5-40ES,127封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 338W(Tc) I2PAK。您可以下载PSMN1R5-40ES,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN1R5-40ES,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAKMOSFET N-Ch 40V 1.6 mOhms

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

120 A

Id-连续漏极电流

120 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R5-40ES,127-

数据手册

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产品型号

PSMN1R5-40ES,127

Pd-PowerDissipation

338 W

Pd-功率耗散

338 W

Qg-GateCharge

133 nC

Qg-栅极电荷

133 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

9710pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

136nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.6 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I2PAK

其它名称

568-6717
568-6717-5
568-6717-ND
934065161127

功率-最大值

338W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

封装/箱体

I2PAK-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tmb)

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