Datasheet下载- 型号： NSVMMUN2112LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMUN2112LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMUN2112LT1G价格参考。ON SemiconductorNSVMMUN2112LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVMMUN2112LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMMUN2112LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NSVMMUN2112LT1G是一款预偏置双极性晶体管（BJT），属于单NPN型，集成内置偏置电阻，简化电路设计。该器件广泛应用于便携式电子设备和高密度电路中。 主要应用场景包括： 1. 开关电路：适用于LED驱动、继电器控制、电源管理等低电流开关应用，其内置偏置电阻可省去外部电阻，缩小PCB面积。 2. 信号放大：用于小信号放大电路，如传感器信号调理、音频前置放大等。 3. 逻辑电平转换：在数字系统中实现不同电压逻辑间的接口转换，如3.3V与5V系统之间的信号匹配。 4. 便携设备：因小型化封装（SOT-23）和低功耗特性，常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等空间受限产品中。 5. 汽车电子：符合AEC-Q101标准，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等环境较严苛的场景。 NSVMMUN2112LT1G具有高可靠性、良好温度稳定性及环保无铅设计，适合工业、消费类及汽车级应用。其一体化偏置结构提升了生产一致性，降低了设计复杂度，是现代电子系统中理想的通用开关元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP 50V SOT23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSVMMUN2112LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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