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  • 型号: PDTC115EK,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC115EK,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC115EK,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC115EK,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTC115EK,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC115EK,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 PDTC115EK,115 的晶体管,属于 预偏置双极性晶体管(BJT),由 NXP USA Inc. 生产。该器件主要应用于以下场景:

1. 数字开关电路:PDTC115EK,115 内部集成基极偏置电阻,使其非常适合用于逻辑控制的开关电路中,如微控制器输出驱动、继电器控制、LED驱动等,简化了外围电路设计。

2. 电源管理电路:该晶体管可用于电源开关、负载切换等场景,实现对电源通断的高效控制。

3. 接口电路:在数字电路与模拟电路之间作为信号传递与隔离的桥梁,常用于电平转换或信号驱动。

4. 传感器驱动与信号处理:在传感器模块中用于信号放大或驱动后续电路,尤其适用于低功耗和小信号处理场合。

5. 工业控制与消费类电子产品:广泛应用于家电、工业自动化、通信设备等对空间和可靠性有要求的电子系统中。

该晶体管具有封装小巧(如SOT23)、功耗低、响应速度快等特点,适合高密度PCB布局和自动化装配。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PDTC115EK,115

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 5mA,5V

供应商器件封装

SMT3

其它名称

934057288115
PDTC115EK T/R
PDTC115EK T/R-ND

功率-最大值

250mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

20mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

100k

电阻器-基底(R1)(Ω)

100k

频率-跃迁

-

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