图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2231LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2231LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2231LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMUN2231LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMUN2231LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 MMUN2231LT1G 的晶体管由 ON Semiconductor 生产,属于预偏置双极性晶体管(BJT),内置电阻,适用于简化电路设计并减少外部元件数量。 应用场景包括: 1. 开关电路:由于其内置偏置电阻,适合用于数字开关应用,如逻辑控制、继电器驱动、LED驱动等。 2. 放大电路:可用于音频或信号放大电路中,尤其在对成本和电路复杂度有要求的场合。 3. 接口电路:常用于微控制器与高功率负载之间的接口驱动,如驱动继电器、小型电机或指示灯。 4. 消费电子产品:如手机、智能家电、玩具、遥控器等对空间和成本敏感的场合。 5. 工业控制:用于传感器信号处理、PLC输入输出接口、自动控制系统中的小功率驱动。 6. 汽车电子:适合用于车载控制系统中,如车灯控制、风扇控制等。 特点优势: - 集成偏置电阻,简化设计; - 封装小巧,节省PCB空间; - 成本低,适合大批量应用; - 支持较高开关速度,适合数字电路。 总结:MMUN2231LT1G 是一款高集成度、低成本的预偏置BJT,广泛用于消费类电子、工业控制和汽车电子中的小功率开关和驱动应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MMUN2231LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMUN2231LT1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 5mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 8 @ 5mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMUN2231LT1GOSCT |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
功率-最大值 | 246mW |
功率耗散 | 246 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 8, 15 |
系列 | MMUN2231L |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | - |