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  • 型号: MMUN2231LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2231LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2231LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2231LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMUN2231LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMUN2231LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 MMUN2231LT1G 的晶体管由 ON Semiconductor 生产,属于预偏置双极性晶体管(BJT),内置电阻,适用于简化电路设计并减少外部元件数量。

 应用场景包括:

1. 开关电路:由于其内置偏置电阻,适合用于数字开关应用,如逻辑控制、继电器驱动、LED驱动等。

2. 放大电路:可用于音频或信号放大电路中,尤其在对成本和电路复杂度有要求的场合。

3. 接口电路:常用于微控制器与高功率负载之间的接口驱动,如驱动继电器、小型电机或指示灯。

4. 消费电子产品:如手机、智能家电、玩具、遥控器等对空间和成本敏感的场合。

5. 工业控制:用于传感器信号处理、PLC输入输出接口、自动控制系统中的小功率驱动。

6. 汽车电子:适合用于车载控制系统中,如车灯控制、风扇控制等。

 特点优势:
- 集成偏置电阻,简化设计;
- 封装小巧,节省PCB空间;
- 成本低,适合大批量应用;
- 支持较高开关速度,适合数字电路。

总结:MMUN2231LT1G 是一款高集成度、低成本的预偏置BJT,广泛用于消费类电子、工业控制和汽车电子中的小功率开关和驱动应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MMUN2231LT1G-

数据手册

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产品型号

MMUN2231LT1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 5mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

8 @ 5mA,10V

产品目录页面

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产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMUN2231LT1GOSCT

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

2.2 kOhms

功率-最大值

246mW

功率耗散

246 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

2.2k

电阻器-基底(R1)(Ω)

2.2k

直流集电极/BaseGainhfeMin

8, 15

系列

MMUN2231L

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

-

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