Datasheet下载- 型号： PDTC143TU,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC143TU,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC143TU,135价格参考。NXP SemiconductorsPDTC143TU,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC143TU,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC143TU,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC143TU,135 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极与基极-集电极电阻（R₁=4.7 kΩ，R₂=4.7 kΩ），实现“1-in-1”简易开关功能。其典型应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）GPIO引脚驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或低功耗指示灯，无需外置偏置电阻，简化PCB设计并提升可靠性。 - 负载开关控制：在便携式设备（如IoT传感器节点、可穿戴设备）中作为低侧开关，控制电源域或外设供电（最大Ic=100 mA，VCEO=50 V）。 - 信号调理与电平检测：配合上拉/下拉网络，实现按钮去抖、电池电压监测阈值开关等简单模拟前端功能。 - 替代传统分立偏置方案：在空间受限的消费电子（如遥控器、智能家电控制板）中，显著减少元件数量与贴装成本。 该器件采用SOT323超小型封装，支持高密度贴装；具备±5 kV HBM ESD防护（符合IEC 61000-4-2），适用于工业及商用环境。注意：不适用于线性放大或高频射频场景，仅推荐工作于开关模式（饱和/截止区）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC143TU,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 934057542135 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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