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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2238LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2238LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2238LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMUN2238LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMUN2238LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2238LT1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),常用于开关和放大电路中。其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 数字开关电路:由于该器件内置偏置电阻,可直接由微控制器或逻辑电路驱动,广泛应用于各类数字控制的开关电路中,如继电器驱动、LED控制、电机控制等。 2. 电源管理:在电源管理系统中,用于负载开关或电源通断控制,实现对不同电路模块的供电管理,提升系统能效。 3. 汽车电子:该器件符合汽车行业标准,适用于汽车中的各类控制模块,如车灯控制、风扇控制、传感器接口等。 4. 工业控制:在工业自动化设备中,作为执行器或传感器信号控制的接口元件,实现信号放大或开关控制。 5. 消费类电子产品:如打印机、扫描仪、智能家电等产品中,用于控制外围设备的启停或状态切换。 MMUN2238LT1G 因其集成设计、使用简便、可靠性高,特别适用于空间受限且需要简化电路设计的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MMUN2238LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMUN2238LT1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
产品种类 | Transistors Bipolar- Bias Resistor |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMUN2238LT1GOSCT |
典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
功率-最大值 | 246mW |
功率耗散 | 246 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 160 |
系列 | MMUN2238L |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | - |