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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2310(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2310(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2310(TE85L,F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RN2310(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN2310(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba半导体与存储旗下的型号RN2310(TE85L,F)是一款预偏置双极结型晶体管(BJT),属于晶体管-双极(BJT)-单,预偏置类型。该器件集成了一个BJT晶体管和内置的偏置电阻网络(通常包括基极和发射极电阻),简化了电路设计,提高了可靠性。 RN2310(TE85L,F)主要应用于需要小型化、高稳定性和简化设计的电子设备中。典型应用场景包括: 1. 开关电路:广泛用于便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备)中的LED驱动、电源管理开关及负载控制,因其内置电阻可直接通过逻辑信号驱动,无需外接偏置元件。 2. 信号放大与逻辑转换:适用于低功率信号放大或数字逻辑电平转换电路,常见于微控制器接口、传感器信号调理模块中。 3. 消费类电子:如电视、机顶盒、家用电器控制板等,用于实现继电器驱动、按键输入处理或小电流负载控制。 4. 工业与汽车电子:在车载信息娱乐系统、车身控制模块中用于低功耗开关应用,具备良好的温度稳定性和可靠性。 该器件采用小型表面贴装封装(如SOT-23或类似),适合高密度PCB布局,有助于缩小整体产品体积。其预偏置设计不仅降低了元件数量和组装成本,还提升了生产良率和电路一致性。 综上,RN2310(TE85L,F)适用于对空间、功耗和设计简化有较高要求的低频开关与驱动场景,是现代电子系统中理想的通用型预偏置晶体管解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 100MW USM开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=RN2310&lang=en |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN2310(TE85L,F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2310 |
| 产品型号 | RN2310(TE85L,F)RN2310(TE85L,F) |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223 |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | USM |
| 其它名称 | RN2310(TE85LF) |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 200MHz |