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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC123TF3T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC123TF3T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC123TF3T5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBC123TF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC123TF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NSBC123TF3T5G的晶体管,属于ON Semiconductor(安森美半导体)旗下的预偏置双极性晶体管(BJT),其主要特点是集成有内部偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。 该器件常用于以下应用场景: 1. 数字开关电路:由于内置偏置电阻,NSBC123TF3T5G非常适合用于逻辑控制的开关应用,如微控制器输出驱动、继电器或LED的控制电路。 2. 接口电路:在数字电路与功率器件之间起信号传递与电平转换作用,例如连接MCU与MOSFET、继电器或电机驱动模块。 3. 便携式电子产品:如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,用于低功耗、小尺寸要求的控制电路中。 4. 汽车电子系统:应用于车载控制模块、传感器信号处理、车灯控制等场景,因其具备良好的温度稳定性和可靠性,适合汽车环境。 5. 工业自动化控制:用于PLC、传感器驱动、小型执行器控制等工业场合。 该晶体管采用小尺寸SOT-23封装,适合高密度PCB布局,并具有良好的热稳定性和抗干扰能力,广泛适用于中低功率的通用放大和开关应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NSBC123TF3T5G |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-1123 |
功率-最大值 | 254mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-1123 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
频率-跃迁 | - |