DTA114E series PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Datasheet llOutline Parameter Value VMT3 EMT3F V -50V CC I -100mA C(MAX.) 　　 　　 R 10kΩ 1 DTA114EM DTA114EEB R2 10kΩ (SC-105AA) (SC-89) EMT3 UMT3F llFeatures 1) Built-In Biasing Resistors, R = R = 10kΩ 1 2 　　 　　 2) Built-in bias resistors enable the configuration of DTA114EE DTA114EUB 　an inverter circuit without connecting external SOT-416(SC-75A) (SC-85) 　input resistors (see inner circuit) . UMT3 SMT3 3) Only the on/off conditions need to be set 　for operation, making the circuit design easy. 4) Complementary NPN Types: DTC114E series 　　 　　 DTA114EUA DTA114EKA SOT-323(SC-70) SOT-346(SC-59) llApplication INVERTER, INTERFACE, DRIVER llInner circuit DTA114EM/ DTA114EEB/ DTA114EUB DTA114EE/ DTA114EUA/ DTA114EKA llPackaging specifications 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Basic Package Taping Reel size Tape width Part No. Package ordering Marking size code (mm) (mm) unit.(pcs) DTA114EM VMT3 1212 T2L 180 8 8000 14 DTA114EEB EMT3F 1616 TL 180 8 3000 14 DTA114EE EMT3 1616 TL 180 8 3000 14 DTA114EUB UMT3F 2021 TL 180 8 3000 14 DTA114EUA UMT3 2021 T106 180 8 3000 14 DTA114EKA SMT3 2928 T146 180 8 3000 14 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com 1/10 20150527 - Rev.004 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

DTA114E series 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet llAbsolute maximum ratings (T = 25°C) a Parameter Symbol Values Unit Supply voltage V -50 V CC Input voltage V -40 to 10 V IN Output current I -50 mA O Collector current I *1 -100 mA C(MAX) DTA114EM 150 DTA114EEB 150 DTA114EE 150 Power dissipation P *2 mW D DTA114EUB 200 DTA114EUA 200 DTA114EKA 200 Junction temperature T 150 ℃ j Range of storage temperature T -55 to +150 ℃ stg llElectrical characteristics (T = 25°C) a Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. V V = -5V, I = -100μA - - -0.5 I(off) CC O Input voltage V V V = -0.3V, I = -10mA -3.0 - - I(on) O O Output voltage V I / I = -10mA / -0.5mA - -100 -300 mV O(on) O I Input current I V = -5V - - -880 μA I I Output current I V = -50V, V = 0V - - -500 nA O(off) CC I DC current gain G V = -5V, I = -5mA 30 - - - I O O Input resistance R - 7 10 13 kΩ 1 Resistance ratio R /R - 0.8 1.0 1.2 - 2 1 V = -10V, I = 5mA, Transition frequency f *1 CE E - 250 - MHz T f = 100MHz *1 Characteristics of built-in transistor *2 Each terminal mounted on a reference land 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　　　 　 　 　 　　 　 　 　　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/10 20150527 - Rev.004

DTA114E series 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet llElectrical characteristic curves (T =25°C) a Fig.1 Input voltage vs. output current (ON Fig.2 Output current vs. input voltage (OFF characteristics) characteristics) Fig.3 Output current vs. output voltage Fig.4 DC current gain vs. output current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com 3/10 20150527 - Rev.004 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

DTA114E series 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet llElectrical characteristic curves (T =25°C) a Fig.5 Output voltage vs. output current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/10 20150527 - Rev.004

DTA114E series 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet llDimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com 5/10 20150527 - Rev.004 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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