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DTA143TUAT106产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTA143TUAT106由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA143TUAT106价格参考。ROHM SemiconductorDTA143TUAT106封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3。您可以下载DTA143TUAT106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTA143TUAT106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DTA143TUAT106 是由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),主要用于小型信号处理和开关应用。该器件集成了内置偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性。 应用场景包括: 1. 逻辑电路与数字开关: 适用于需要低功耗、高速开关的小型数字电路中,如逻辑门驱动或电平转换。 2. 传感器接口电路: 在各类传感器信号调理电路中作为放大器或开关使用,尤其适合便携式设备。 3. 电源管理电路: 可用于DC-DC转换器、负载开关等场合,实现对电流的控制。 4. LED驱动: 适合作为LED背光或指示灯的驱动元件,提供稳定的电流控制。 5. 音频放大器前级: 在低功率音频系统中作为前置放大器使用。 6. 便携设备: 因其小型封装和低功耗特性,广泛应用于手机、穿戴设备、数码相机等消费电子产品中。 总之,DTA143TUAT106 凭借其集成偏置电阻、节省空间和易于使用的特点,在多种低功率电子系统中有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP 50V 100MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTA143TUAT106- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTA143TUAT106 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | UMT3 |
| 其它名称 | DTA143TUAT106CT |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | UMT-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |