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Datasheet下载- 型号： PDTC115EE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PDTC115EE,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC115EE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC115EE,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC115EE,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 150mW Surface Mount SC-75。您可以下载PDTC115EE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC115EE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 PDTC115EE,115 的晶体管由 NXP USA Inc. 生产，属于 预偏置双极结型晶体管（BJT），其主要应用场景包括： 1. 数字开关电路：该晶体管内置预偏置电阻，适合用于逻辑控制的开关应用，如微控制器输出驱动、继电器控制和LED驱动等，简化电路设计并减少外部元件数量。 2. 电源管理电路：常用于电源开关、负载切换和低功耗控制电路中，实现对电源的高效控制。 3. 信号处理电路：适用于低频信号放大与处理，如音频前置放大、传感器信号调理等场景。 4. 工业自动化设备：用于工业控制系统中的信号转换、继电器驱动和执行器控制。 5. 消费类电子产品：如智能家电、遥控器、充电器等产品中的逻辑控制和驱动电路。 6. 汽车电子系统：在车载控制模块、车灯控制、电机驱动等场景中提供可靠的开关功能。 该晶体管因其集成电阻、封装小巧、响应速度快和可靠性高等特点，广泛应用于中低功率、高稳定性的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC115EE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC115EE,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-11057-1 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 100 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SOT-416-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 20 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC115EE T/R |
| 频率-跃迁 | - |
