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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTC115EE-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTC115EE-7价格参考。Diodes Inc.DDTC115EE-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DDTC115EE-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDTC115EE-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DDTC115EE-7是一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于单晶体管器件。该器件集成了基极偏置电阻,简化了电路设计,提升了稳定性和可靠性,广泛应用于各类电子设备中。 其主要应用场景包括: 1. 开关电路:适用于数字电路中的开关控制,如逻辑电平转换、继电器驱动、LED控制等。 2. 放大电路:用于小信号放大,如音频信号前置放大、传感器信号调理等场合。 3. 电源管理:在电源转换和管理电路中作为控制元件使用,例如DC-DC转换器中的开关元件。 4. 汽车电子:因其可靠性和稳定性,常用于车载系统中的信号控制和电源控制模块。 5. 工业控制:广泛用于工业自动化设备中的信号处理与控制电路中。 6. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、家用电器等产品中的电源控制与信号处理部分。 DDTC115EE-7采用SOT-23封装,体积小、易于贴装,适合高密度PCB设计,适用于大批量生产和自动化组装。其预偏置设计降低了外围电路复杂度,提高了系统的稳定性和抗干扰能力。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DDTC115EE-7 |
PCN设计/规格 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 82 @ 5mA,5V |
产品目录绘图 | |
供应商器件封装 | SOT-523 |
其它名称 | DDTC115EE7 |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-523 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
频率-跃迁 | 250MHz |