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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2232LT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2232LT1价格参考。ON SemiconductorMMUN2232LT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMUN2232LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMUN2232LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2232LT1 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于单管配置。该器件内部集成了基极偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。 应用场景主要包括: 1. 开关电路:适用于数字电路中的开关控制,如逻辑电平转换、继电器驱动、LED驱动等。 2. 放大电路:用于低频小信号放大,如音频前置放大、传感器信号调理等。 3. 电源管理:在电源控制电路中作为开关元件,用于负载开关或电流调节。 4. 工业控制:广泛应用于工业自动化设备中的信号处理与控制电路。 5. 消费类电子产品:如家用电器、智能玩具、遥控器等,实现信号放大或驱动功能。 该器件采用SOT-23小外形封装,适合高密度PCB布局,且具备良好的温度稳定性,适用于各种中低功率应用场合。由于其集成偏置电阻,减少了外围元件数量,提高了电路的可靠性与一致性,适合批量生产与低成本设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MMUN2232LT1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 15 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMUN2232LT1OSCT |
功率-最大值 | 246mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 10 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
频率-跃迁 | - |