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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的MMUN2237LT1G是一款预偏置NPN型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极电阻,采用SOT-23封装。该器件集成了外接电阻,简化了电路设计,无需外部偏置元件,适合高密度PCB布局。 主要应用场景包括: 1. 开关电路:常用于中小功率开关应用,如驱动LED、继电器、小型电机或逻辑电平转换,其预偏置结构使开启/关断更稳定,响应速度快。 2. 便携式电子设备:由于体积小、功耗低,广泛应用于手机、平板、可穿戴设备等对空间和能效要求高的产品中,用于信号切换或电源管理。 3. 消费类电子产品:在家电控制板、遥控器、电源适配器中作为控制信号放大或开关元件,提升系统可靠性。 4. 工业控制与传感器接口:用于传感器信号调理、微弱信号放大及驱动指示灯或报警装置,适应较宽工作温度范围,稳定性好。 5. 汽车电子:符合AEC-Q101标准,适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(如车窗、灯光控制)等非动力系统,具备良好可靠性和温度耐受性。 MMUN2237LT1G因其集成化设计、高可靠性及符合RoHS环保要求,成为替代传统分立晶体管加电阻组合的理想选择,尤其适合自动化贴片生产,提高制造效率。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS BRT PNP 50V SOT-23 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MMUN2237LT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 5mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-23 |
功率-最大值 | 246mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
频率-跃迁 | - |