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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC123EE,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC123EE,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC123EE,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTC123EE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC123EE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 PDTC123EE,115 的晶体管由 NXP USA Inc. 生产,属于 预偏置双极结型晶体管(BJT),其设计集成了内部电阻,简化了偏置电路的设计,常用于中低功率的开关和放大应用。 主要应用场景包括: 1. 数字开关电路 该晶体管适合用于逻辑控制的开关电路,例如在微控制器与高功率负载之间作为接口,实现对LED、继电器、小型电机等元件的控制。 2. 逻辑电平转换 在不同电压逻辑系统之间进行信号转换时,PDTC123EE 可用作电平转换器,提高系统兼容性和稳定性。 3. 放大电路 虽然主要用于开关应用,但由于其良好的电流增益特性,也可用于音频或信号放大电路中的小信号放大。 4. 汽车电子系统 NXP 的器件通常具备良好的可靠性和温度适应性,因此该晶体管可应用于汽车控制系统,如车灯控制、传感器信号处理等。 5. 便携式电子设备 由于其小型封装和低功耗特性,适用于手机、平板电脑、穿戴设备等便携产品中的电源管理和信号控制。 6. 工业控制 在工业自动化设备中用于传感器信号处理、执行器控制等场景。 总之,PDTC123EE,115 是一款集成预偏置电阻的通用型BJT,适用于需要简化电路设计、提高稳定性和可靠性的各种电子系统。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN W/RES 50V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC123EE,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PDTC123EE,115 |
PCN封装 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 20mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SC-75 |
其它名称 | 568-2150-1 |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
封装/箱体 | SOT-416-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
零件号别名 | PDTC123EE T/R |
频率-跃迁 | - |