Datasheet下载- 型号： RN2427TE85LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2427TE85LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2427TE85LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2427TE85LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN2427TE85LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN2427TE85LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的RN2427TE85LF是一款预偏置的双极晶体管（BJT），属于单晶体管类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电路：该型号适合用于各种开关应用，例如电源管理中的开关电路，能够实现高效的通断控制。 2. 信号放大：由于其出色的增益性能，RN2427TE85LF可以用于音频设备、传感器信号处理等场景中的信号放大。 3. 驱动电路：适用于小型电机、继电器或其他低功率负载的驱动，提供稳定可靠的电流输出。 4. 保护电路：可用于过流保护、短路保护等安全相关电路中，确保系统在异常情况下正常运行。 5. 消费电子：广泛应用于家用电器、便携式电子产品等领域，如遥控器、玩具和小型家电的控制模块。 6. 通信设备：在低功率射频（RF）前端模块中，该晶体管可用于信号调节和增强。 7. 工业自动化：在工业控制领域，它可作为简单的逻辑电平转换或隔离元件使用。 RN2427TE85LF凭借其预偏置设计，简化了外围电路设计，降低了对复杂偏置网络的需求，从而提高了系统的可靠性和设计效率。同时，其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP 50V 0.8A TRANSISTOR LOG |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2427 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN2427TE85LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2422 |
| 产品型号 | RN2427TE85LFRN2427TE85LF |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 90 @ 100mA，1V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | S-Mini |
| 典型电阻器比率 | 0.22 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TO-236MOD-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 800 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 200 MHz |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 800mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 90 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | - 800 mA |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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