Datasheet下载- 型号： NSBA113EF3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA113EF3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA113EF3T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA113EF3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA113EF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA113EF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSBA113EF3T5G是一款预偏置双极性晶体管（BJT），属于带内置偏置电阻的数字晶体管。其内部集成了一个基极-发射极之间的偏置电阻网络，通常为一个基极限流电阻和一个下拉电阻，简化了外部电路设计。 该器件主要应用于需要小型化、高可靠性和快速开关响应的电子系统中。典型应用场景包括： 1. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑中的LED驱动、电源管理开关或信号切换电路，得益于其小尺寸封装（如SOT-23或类似），适合空间受限的设计。 2. 消费类电子设备：用于LCD背光控制、按键输入缓冲、逻辑电平转换及小型继电器或蜂鸣器驱动等。 3. 工业控制与通信模块：在微控制器I/O扩展、传感器信号开关、低功率负载控制中作为开关元件使用，因其内置电阻减少了外围元件数量，提高了系统稳定性。 4. 汽车电子：适用于车身控制模块（BCM）、车灯控制、风扇电机驱动等非动力系统中的低电流开关应用，符合AEC-Q101车规标准，具备良好的温度适应性和可靠性。 NSBA113EF3T5G具有低导通电流、快速响应和高增益特性，适合工作在开关模式而非线性放大模式。其一体化设计降低了PCB布局复杂度，提升了生产良率，广泛用于需要高效、紧凑解决方案的中低端功率控制场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSBA113EF3T5G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 3 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 254mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | - |
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