Datasheet下载- 型号： PDTA114TU,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA114TU,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA114TU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA114TU,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA114TU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA114TU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA114TU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极间电阻（R₁=10 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=10 kΩ），即“114”代表 R₁=R₂=10 kΩ 的 1:1 分压偏置结构。该器件采用 SOT-323（SC-70）小型表面贴装封装，具有低功耗、高可靠性及简化外围电路等优势。 典型应用场景包括： ✅ 数字逻辑接口电平转换与驱动：如将 3.3 V 或 5 V MCU GPIO 信号直接驱动 LED、小型继电器、蜂鸣器或门电路输入； ✅ 开关应用：在便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中用作负载开关，控制背光、指示灯或传感器供电通断； ✅ 信号调理与缓冲：在低速数字信号路径中提供电流放大与隔离，避免MCU引脚过载； ✅ 电池供电设备的省电设计：因集成偏置电阻，无需外接基极电阻，减少BOM数量与PCB面积，提升能效与生产良率。 其最大连续集电极电流 IC = 100 mA，VCEO = 50 V，hFE 典型值为 160（IC=10 mA），适用于中低功率、中低频（fT≈250 MHz）开关场景，不适用于线性放大或高频射频应用。广泛用于消费电子、工业控制板、物联网终端及汽车电子（非安全关键系统）等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA114TU,115 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-11228-6 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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