Datasheet下载- 型号： PDTA114TU,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA114TU,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA114TU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA114TU,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA114TU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA114TU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA114TU,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款预偏置双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。其主要应用场景包括： 1. 信号放大：该型号的晶体管适用于低噪声、高增益的信号放大电路，例如音频设备中的前置放大器或传感器信号调理电路。 2. 开关应用：由于其预偏置特性，PDTA114TU,115 可以用作高效的电子开关，应用于继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等场景。 3. 射频和无线通信：该晶体管具有良好的频率响应特性，适合用于低功率射频放大器或无线通信模块中的信号处理。 4. 消费电子产品：在便携式设备（如遥控器、玩具、智能家居设备）中，这款晶体管可用于电源管理、信号调节或其他基本功能。 5. 工业控制：在工业自动化领域，PDTA114TU,115 可用于实现简单的逻辑控制或接口电路，例如光电耦合器输出级驱动。 6. 汽车电子：符合车规级要求的情况下，该晶体管可应用于车载电子系统中的信号调节或低功率负载控制。 7. 电池管理：在电池供电设备中，可以用作电流检测、保护电路或充电状态监控的关键元件。 总结来说，PDTA114TU,115 的预偏置设计简化了电路设计过程，使其特别适合需要稳定工作点的应用场合，同时其紧凑封装形式也便于在空间受限的环境中使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA114TU,115 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-11228-6 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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