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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5116T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5116T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5116T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN5116T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5116T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5116T1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款预偏置型双极结型晶体管(BJT),内置偏置电阻,简化电路设计。该器件广泛应用于需要小型化、高可靠性和低成本的电子系统中。 典型应用场景包括: 1. 开关电路:常用于电源开关、LED驱动、继电器控制等,其内置电阻可直接通过微控制器信号驱动,无需外接偏置元件,提升设计简洁性。 2. 逻辑电平转换:在数字电路中实现不同电压逻辑之间的信号转换,如3.3V与5V系统间通信。 3. 便携式设备:由于封装小巧(如SOT-23)、功耗低,适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号控制与负载切换。 4. 消费类电子产品:用于家电控制板、遥控器、传感器模块等,提高集成度并减少PCB空间占用。 5. 工业控制:在小型PLC、传感器接口、电磁阀驱动中作为低功率开关使用。 MUN5116T1G具备良好的温度稳定性与可靠性,适合在严苛环境中稳定运行。其一体化设计降低了制造成本和故障率,是现代电子设计中理想的替代传统分立晶体管+电阻组合的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MUN5116T1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
功率-最大值 | 202mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
频率-跃迁 | - |