Datasheet下载- 型号： NSVMMUN2230LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMUN2230LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMUN2230LT1G价格参考。ON SemiconductorNSVMMUN2230LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVMMUN2230LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMMUN2230LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVMMUN2230LT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT），属于单管配置。该器件集成了一个NPN晶体管和一个内置偏置电阻网络，简化了电路设计，降低了外部元件需求，适用于多种通用开关和放大应用。 该器件主要应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与开关控制：由于内置偏置电阻，可直接由微控制器或逻辑电路驱动，用于控制LED、继电器、小型电机等负载。 2. 电源管理电路：适用于需要低导通压降和高效能的电源开关电路，如DC-DC转换器、负载开关等。 3. 传感器接口电路：在传感器信号调理或驱动电路中作为开关或放大元件，尤其适合空间受限、要求高集成度的设计。 4. 汽车电子系统：该器件具有良好的温度稳定性和可靠性，适用于车载电子系统中如车灯控制、电机驱动、传感器信号处理等场景。 5. 便携式设备与消费类电子产品：由于其小型封装和低功耗特性，适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等产品中的开关电路或信号处理模块。 总结：NSVMMUN2230LT1G 适用于需要简化偏置设计、节省PCB空间、提高可靠性的各类电子系统，广泛用于工业控制、汽车电子、消费电子等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 50V SOT23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSVMMUN2230LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 3 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | - |
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