Datasheet下载- 型号： DRDNB16W-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DRDNB16W-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DRDNB16W-7价格参考。Diodes Inc.DRDNB16W-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DRDNB16W-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DRDNB16W-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DRDNB16W-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款预偏置双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号的晶体管适用于多种电子电路设计场景，主要用途包括但不限于以下方面： 1. 开关应用 - DRDNB16W-7 可用于各种开关电路中，例如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制等。由于其预偏置特性，能够简化电路设计，减少外部元件的需求。 - 在数字逻辑电路中，可以作为信号放大或电平转换的开关元件。 2. 信号放大 - 该晶体管适合用于音频信号放大器或其他低功率信号放大的场合。其稳定的增益性能和预偏置设计使其在小信号放大领域表现良好。 - 可应用于麦克风前置放大器、无线通信中的低噪声放大器（LNA）等。 3. 电源管理 - 在简单的线性稳压器或电流调节电路中，DRDNB16W-7 可以用作关键的有源元件。例如，恒流源或恒压源的设计中，它能提供精确的电流或电压输出。 - 还可用于电池充电电路中的电流限制功能。 4. 传感器接口 - 在传感器信号调理电路中，这款晶体管可以用作信号增强器或缓冲器，将微弱的传感器信号放大到后续处理所需的水平。 - 特别适合热敏电阻、光电二极管等低输出信号的传感器应用。 5. 脉冲调制与驱动 - DRDNB16W-7 能够处理脉宽调制（PWM）信号，适用于驱动小型电磁阀、步进电机或其他需要脉冲控制的设备。 - 在高频应用中，它的快速响应能力也使其成为脉冲生成和整形的理想选择。 6. 保护电路 - 该晶体管可用于过流保护、短路保护等安全电路中，通过检测异常电流并触发保护机制来防止系统损坏。 总结 DRDNB16W-7 的预偏置特性使其易于使用，减少了对复杂偏置网络的需求，同时具备良好的稳定性和可靠性。它广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域，特别适合需要高性能和高可靠性的低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN Trans R1-R2 Switch-Relay Drvr |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DRDNB16W-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DRDNB16W-7 |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 56 @ 50mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | DRDNB16WDIDKR |
| 其它图纸 |
|
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 600 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 + 二极管 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 56 |
| 系列 | DRDNB16W |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 18 V |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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