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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SMMUN2215LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMMUN2215LT1G价格参考。ON SemiconductorSMMUN2215LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SMMUN2215LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMMUN2215LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为SMMUN2215LT1G的器件是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于单管结构。该器件集成了基极偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。 应用场景主要包括: 1. 开关电路:适用于数字电路中的开关控制,如逻辑电平转换、继电器或LED驱动等。 2. 放大电路:用于小信号放大,如音频信号前置放大或传感器信号调理。 3. 电源管理:在电源开关、负载切换和电压调节电路中作为控制元件。 4. 汽车电子:因其高可靠性和稳定性,广泛应用于车载控制系统,如车灯控制、电机驱动等。 5. 工业控制:用于PLC、继电器模块、工业自动化设备中的信号处理与驱动。 6. 消费类电子产品:如打印机、扫描仪、家电控制板等对空间和稳定性有要求的小型电子设备中。 该器件采用小型表面贴装封装(如SOT-23),适合高密度PCB布局,且具备良好的温度特性和抗干扰能力,适用于多种通用高频低功率应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS BRT NPN 50V SOT-23 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SMMUN2215LT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
功率-最大值 | 246mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
频率-跃迁 | - |