Datasheet下载- 型号： NSBA123JF3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA123JF3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA123JF3T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA123JF3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA123JF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA123JF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NSBA123JF3T5G是一款预偏置双极结型晶体管（BJT），属于集成电阻型晶体管，内部集成了一个或多个外接电阻（通常为基极和发射极电阻），简化了外围电路设计。该器件适用于需要小型化、高可靠性和快速开关响应的电子应用。 其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑中的信号切换、LED驱动或电源管理模块，得益于其小尺寸（如SOD-962封装）和低功耗特性。 2. 消费类电子产品：用于LCD背光控制、按键输入缓冲、传感器信号调理等电路中，预偏置设计减少了元件数量，提高了组装效率。 3. 工业控制与家电：在微控制器I/O扩展、继电器或风扇驱动电路中作为开关使用，集成电阻可限制电流，提升系统稳定性。 4. 通信设备：适用于接口电平转换、逻辑驱动及高频信号开关，具备良好的开关速度和温度稳定性。 NSBA123JF3T5G具有低导通电压、高增益和优良的热稳定性，适合在紧凑空间和对可靠性要求较高的环境中工作。由于其内置偏置电阻，无需外部配置偏置网络，降低了设计复杂度和PCB面积占用，广泛应用于需要高效、简洁晶体管开关解决方案的场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA123JF3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-1123 |
| 功率-最大值 | 254mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1123 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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