ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTC124XT,215
Datasheet下载- 型号： PDTC124XT,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PDTC124XT,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC124XT,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC124XT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTC124XT,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTC124XT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC124XT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC124XT,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管（预偏置 NPN 双极型晶体管），内置基极-发射极电阻（R₁=22 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=47 kΩ），具备内置偏置网络，无需外接偏置电阻，简化电路设计。 典型应用场景包括： ✅ 逻辑电平接口与信号切换：常用于微控制器（如ARM、AVR、ESP32等）IO口驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，实现5V/3.3V TTL/CMOS电平到负载的可靠开关控制。 ✅ 低功耗开关应用：因饱和压降低（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）、开关速度快（ton/toff 约数十纳秒），适用于便携设备、IoT传感器节点等对能效敏感的场景。 ✅ 反相器/缓冲器电路：可构成简易单管反相开关，用于状态翻转或电平整形。 ✅ 工业与消费电子板级设计：广泛应用于打印机、家电控制板、电源管理模块、LED背光驱动及电机启停控制等中低电流（IC max = 100 mA）场合。 其SOT-23封装（超小型贴片）支持高密度PCB布局，符合AEC-Q100 Grade 3（-40°C~85°C）可靠性要求，兼具成本优势与设计简洁性，是替代传统分立偏置BJT+电阻方案的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC124XT,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC124XT,215 |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-11252-2 |
| 典型电阻器比率 | 0.47 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC124XT T/R |
| 频率-跃迁 | - |
