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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5216T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5216T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5216T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN5216T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5216T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5216T1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款预偏置双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 信号放大: MUN5216T1G 适用于低功率信号放大的场合,例如音频信号处理、传感器信号放大等。由于其预偏置特性,能够简化电路设计,提高增益稳定性。 2. 开关应用: 作为 BJT,MUN5216T1G 可用作开关元件,在数字电路或电源管理中实现快速开关闭合。例如,用于控制 LED、继电器或其他低功率负载的通断。 3. 射频(RF)和无线通信: 该晶体管适合低噪声放大器(LNA)设计,尤其是在射频前端模块中。其高频性能使其成为无线通信设备的理想选择,如 Zigbee、蓝牙或 LoRa 模块。 4. 消费电子设备: 在便携式设备(如遥控器、智能家居控制器、可穿戴设备等)中,MUN5216T1G 可用于驱动小型执行器或处理微弱信号。 5. 工业自动化: 在工业控制领域,这款晶体管可用于信号调理电路、传感器接口以及小功率驱动电路,确保系统的可靠性和精度。 6. 汽车电子: 虽然 MUN5216T1G 的功率等级较低,但在汽车内部的一些辅助功能(如车内照明控制、温度监测等)中仍能找到应用场景。 总结来说,MUN5216T1G 凭借其预偏置特性和稳定的性能,广泛应用于需要低功耗、高精度及可靠性的电子系统中,尤其适合对成本敏感且体积受限的小型化设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MUN5216T1G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
功率-最大值 | 202mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
频率-跃迁 | - |