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  • 型号: MMUN2132LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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MMUN2132LT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2132LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2132LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2132LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMUN2132LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMUN2132LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MMUN2132LT1G-

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产品型号

MMUN2132LT1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 1mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

15 @ 5mA,10V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMUN2132LT1GOSCT

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

4.7 kOhms

功率-最大值

246mW

功率耗散

246 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

4.7k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

直流集电极/BaseGainhfeMin

15

系列

MMUN2132L

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

-

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