Datasheet下载- 型号： PDTA144VT,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA144VT,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA144VT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTA144VT,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA144VT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA144VT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA144VT,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管（Digital Transistor, DTR），属于预偏置双极结型晶体管（BJT）单管，内置基极-发射极电阻（R1=47 kΩ）和基极-集电极电阻（R2=47 kΩ），具备 100 mA 集电极电流（IC）和 50 V 集电极-发射极电压（VCEO）能力，采用 SOT-23 小型表面贴装封装。 其典型应用场景包括： ✅ 逻辑电平接口转换：将微控制器（如 GPIO 的 3.3 V/5 V TTL 输出）直接驱动中小功率负载（如LED、继电器线圈、小型蜂鸣器），无需外置偏置电阻，简化电路设计； ✅ 开关应用：在消费电子（如手机、平板、可穿戴设备）、家电控制板中用作高效、低功耗的信号开关； ✅ 输入信号调理与电平检测：配合上拉/下拉结构，实现按键检测、传感器信号整形或状态指示； ✅ 替代传统分立BJT+电阻方案：提升PCB空间利用率、降低BOM成本与装配误差，增强一致性与可靠性。 该器件具有高直流电流增益（hFE ≈ 80–200，测试条件 IC = 10 mA），具备良好的开关响应特性与热稳定性，适用于工作温度范围 –65°C 至 +150°C 的工业及便携式设备。 注意：不适用于线性放大或大电流/高功率场景（如电机驱动主回路），需严格遵循NXP官方数据手册中的SOA（安全工作区）及PCB散热设计建议。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA144VT,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTA144VT,215 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934058191215 |
| 典型电阻器比率 | 4.76 |
| 典型输入电阻器 | 47 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTA144VT T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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