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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2230LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2230LT1G价格参考¥询价-¥询价。ON SemiconductorMMUN2230LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMUN2230LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMUN2230LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 MMUN2230LT1G 的晶体管由 ON Semiconductor 生产,属于预偏置双极性晶体管(BJT),其主要特点是内置偏置电阻,简化了电路设计并提高了稳定性。该器件常用于以下应用场景: 1. 开关电路:适用于数字电路中的开关控制,如逻辑电平转换、继电器或LED的驱动,因其集成偏置电阻可减少外围元件数量,提高可靠性。 2. 接口电路:在微控制器与高功率设备之间作为接口驱动器,实现信号放大或隔离。 3. 电源管理:用于低功耗电源开关或负载控制,如电池供电设备中的电源控制模块。 4. 汽车电子:由于ON Semiconductor的产品通常具备良好的可靠性和温度适应性,该器件也广泛应用于汽车控制系统,如车灯驱动、电机控制等。 5. 消费类电子产品:如打印机、扫描仪、小型家电等设备中的小型电机或继电器控制。 MMUN2230LT1G 采用 SOT-23 封装,体积小、便于贴片安装,适合高密度 PCB 设计。其预偏置设计降低了设计复杂度,适用于中低功率的通用开关与放大应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MMUN2230LT1G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 5mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 3 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
功率-最大值 | 246mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
频率-跃迁 | - |