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PDTA114ET,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA114ET,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA114ET,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTA114ET,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTA114ET,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA114ET,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA114ET,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极间 10 kΩ 上拉电阻和基极-集电极间 10 kΩ 限流电阻(即 1:1 电阻比,R₁ = R₂ = 10 kΩ),采用 SOT-23 小型表面贴装封装。 该器件主要面向数字逻辑接口与低压开关应用,典型应用场景包括: ✅ 微控制器(MCU)I/O 口驱动:可直接由 3.3V 或 5V 逻辑电平(如 GPIO)控制,无需外置偏置电阻,简化电路、节省 PCB 面积; ✅ LED 驱动:用于中小电流(IC ≤ 100 mA)指示灯或段式数码管的开关控制; ✅ 信号电平转换/缓冲:在不同电压域(如 3.3V MCU 控制 5V 负载)中实现电平适配与隔离; ✅ 继电器或小功率 MOSFET 的栅极驱动:作为前置开关,提供足够基极电流以可靠导通后续功率器件; ✅ 消费电子与便携设备:如智能手机周边电路、可穿戴设备、IoT 模块中的状态检测、按键扫描、电源使能(EN)控制等。 其内置电阻结构提升了设计鲁棒性与一致性,降低 BOM 成本与贴片误差风险,适用于高可靠性、小体积、快速开发的嵌入式系统。注意:不适用于线性放大或高频开关(fT 较低,约 250 MHz),也不推荐用于大电流或高功耗场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA114ET,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTA114ET,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6425-1 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTA114ET T/R |
| 频率-跃迁 | - |