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PDTA114ET,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA114ET,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA114ET,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTA114ET,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTA114ET,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA114ET,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.生产的PDTA114ET,215是一款预偏置的双极晶体管(BJT),属于单晶体管类别。其主要应用场景包括: 1. 信号放大:该型号适用于低噪声、高增益的信号放大电路,例如音频设备中的前置放大器或传感器信号调理电路。 2. 开关应用:由于其预偏置特性,PDTA114ET,215非常适合用作开关元件,广泛应用于数字电路中的信号切换或电源管理模块中的开关控制。 3. 射频(RF)和无线通信:该晶体管能够在高频环境下稳定工作,因此可用于射频前端模块、无线通信设备或蓝牙/WiFi模块中的小信号放大。 4. 消费电子:在便携式设备(如智能手机、平板电脑或可穿戴设备)中,这款晶体管可用于音频驱动、电池管理或其他低功耗电路设计。 5. 工业控制:在自动化控制系统中,PDTA114ET,215可以作为驱动器的一部分,用于控制继电器、小型电机或LED指示灯等负载。 6. 汽车电子:符合车规级要求的情况下,该晶体管可能被用于汽车音响系统、车载传感器信号处理或车身控制模块(BCM)中的简单信号调节任务。 7. 医疗设备:在需要高精度和低功耗的应用中,例如便携式健康监测设备或诊断仪器,这款晶体管可用于信号采集与处理。 总结来说,PDTA114ET,215凭借其预偏置特性和性能稳定性,在各种低功耗、高频及高精度需求的场景中具有广泛的适用性,尤其适合对成本敏感且空间受限的设计环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA114ET,215- |
数据手册 | |
产品型号 | PDTA114ET,215 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 568-6425-1 |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
零件号别名 | PDTA114ET T/R |
频率-跃迁 | - |