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  • 型号: DTC125TUAT106
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DTC125TUAT106由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC125TUAT106价格参考。ROHM SemiconductorDTC125TUAT106封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTC125TUAT106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC125TUAT106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的DTC125TUAT106是一款预偏置双极晶体管(BJT),其主要特点是内置偏置电阻,简化了电路设计并提高了稳定性。该器件常用于需要高效、稳定信号放大的场景。

该晶体管的应用场景主要包括:

1. 数字开关电路:适用于逻辑电路中的开关控制,如微控制器外围驱动电路,因其集成偏置电阻,可减少外部元件数量,提高可靠性。

2. 信号放大电路:用于小信号放大,如音频前置放大、传感器信号调理等,提供稳定的增益和低失真。

3. 电源管理与转换:在DC-DC转换器、电源开关控制等场合,作为驱动元件使用。

4. 工业自动化设备:用于工业控制系统中的信号处理与驱动,如PLC模块、继电器驱动等。

5. 消费类电子产品:如智能手机、穿戴设备、家用电器等,用于低功耗信号控制与处理。

DTC125TUAT106采用小型表面贴装封装(如SOT-523),适合高密度PCB布局,适用于批量生产。其预偏置设计降低了设计复杂度,适用于对成本与空间有要求的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

DTC125TUAT106

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 50µA, 500µA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1mA,5V

供应商器件封装

UMT3

其它名称

DTC125TUAT106DKR

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-70,SOT-323

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

200k

频率-跃迁

250MHz

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