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产品简介:
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NSBA143TF3T5G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于集成电阻型晶体管,内部集成了基极和发射极的偏置电阻,简化了外围电路设计。 该器件主要应用于以下场景: 1. 逻辑电平转换:由于其内置偏置电阻,适合用于数字电路中将不同电压电平进行转换,例如将3.3V信号控制5V电路。 2. 开关电路:适用于低频开关应用,如继电器、LED、小型电机等负载的控制开关。 3. 接口电路:常用于MCU(微控制器)与外围设备之间的接口驱动电路,提升驱动能力。 4. 信号放大:可用于音频或低频信号的小信号放大电路中,作为前置放大器使用。 5. 汽车电子:因其具备良好的温度稳定性和可靠性,适合用于汽车控制系统中的传感器驱动或执行器控制。 6. 消费类电子产品:如智能家电、便携设备中的电源管理或信号控制部分。 该晶体管采用SOT-23封装,体积小、便于贴片安装,适合高密度PCB设计。其预偏置特性降低了设计复杂度,提高了电路稳定性,适用于对空间和设计效率有要求的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NSBA143TF3T5G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 254mW |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
频率-跃迁 | - |