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  • 型号: NSBA143TF3T5G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA143TF3T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA143TF3T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA143TF3T5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBA143TF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBA143TF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NSBA143TF3T5G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于集成电阻型晶体管,内部集成了基极和发射极的偏置电阻,简化了外围电路设计。

该器件主要应用于以下场景:

1. 逻辑电平转换:由于其内置偏置电阻,适合用于数字电路中将不同电压电平进行转换,例如将3.3V信号控制5V电路。

2. 开关电路:适用于低频开关应用,如继电器、LED、小型电机等负载的控制开关。

3. 接口电路:常用于MCU(微控制器)与外围设备之间的接口驱动电路,提升驱动能力。

4. 信号放大:可用于音频或低频信号的小信号放大电路中,作为前置放大器使用。

5. 汽车电子:因其具备良好的温度稳定性和可靠性,适合用于汽车控制系统中的传感器驱动或执行器控制。

6. 消费类电子产品:如智能家电、便携设备中的电源管理或信号控制部分。

该晶体管采用SOT-23封装,体积小、便于贴片安装,适合高密度PCB设计。其预偏置特性降低了设计复杂度,提高了电路稳定性,适用于对空间和设计效率有要求的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS DUAL PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NSBA143TF3T5G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 1mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

160 @ 5mA,10V

供应商器件封装

*

功率-最大值

254mW

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

*

晶体管类型

PNP - 预偏压

标准包装

8,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

频率-跃迁

-

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