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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTA124EMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA124EMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA124EMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA124EMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA124EMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA124EMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA124EMB,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款内置偏置电阻的 PNP 型数字晶体管（Digital Transistor，即预偏置 BJT），采用超小型 SOT-883（0.8×0.6×0.5 mm）封装，适用于空间受限的便携式电子设备。其典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与信号开关：在微控制器（如 ARM、MCU）I/O 口驱动能力不足时，用作低功耗、高可靠性开关，控制LED、蜂鸣器、小功率继电器或MOSFET栅极； 2. 便携式消费电子：广泛用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备（如智能手表、手环）中的传感器使能控制、状态指示灯驱动等； 3. 电池供电设备：因集成上拉/下拉偏置电阻（R1=220 kΩ，R2=220 kΩ），无需外接偏置元件，简化PCB设计并降低静态电流（典型IB ≈ 2.2 µA @ VBE = 5 V），延长电池寿命； 4. 工业与IoT终端：用于低速数字接口隔离、按键检测、电源使能（EN）信号调理等对成本、尺寸和可靠性要求较高的场合。 该器件具有±10%电阻容差、ESD防护（HBM > 8 kV）、符合AEC-Q101（汽车级）标准，亦可用于车载信息娱乐系统中的非安全相关信号切换。综上，PDTA124EMB,315 主要面向高集成度、低功耗、小尺寸的数字开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA124EMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065925315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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