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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTA124EMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA124EMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA124EMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA124EMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA124EMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA124EMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 PDTA124EMB,315 的晶体管，属于 Nexperia USA Inc. 生产的 预偏置双极性晶体管（BJT），其主要应用场景包括： 该器件常用于 数字电路中的开关应用，如逻辑控制、电平转换和驱动小型负载（如LED、继电器或小型电机）。由于其集成内部偏置电阻，可简化外围电路设计，降低PCB面积和成本，因此广泛应用于 便携式电子产品、消费类电子设备及工业控制电路 中。 此外，PDTA124EMB,315 也适用于需要 低功耗、高稳定性和快速开关响应 的场景，例如：电源管理、传感器接口电路、通信模块中的信号切换等。其SOT-23封装形式适合表面贴装，适用于自动化生产。 总结：该晶体管适用于中低功率开关控制、逻辑驱动和嵌入式系统中的信号处理等场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA124EMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065925315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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