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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2134LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2134LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2134LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMUN2134LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMUN2134LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 MMUN2134LT1G 的晶体管,属于 ON Semiconductor(安森美半导体)旗下的 预偏置双极性晶体管(BJT),其主要特点是集成了基极偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性。 主要应用场景包括: 1. 开关电路:适用于数字电路中的开关控制,如逻辑电平转换、继电器或LED驱动等,因其集成偏置电阻,可减少外围元件数量,提升可靠性。 2. 电源管理:用于电源开关、负载切换或低功耗控制电路中,适用于便携式设备、电源适配器等。 3. 传感器接口电路:在传感器信号调理或驱动电路中作为放大或开关元件使用,尤其适合需要简化偏置设计的场合。 4. 工业控制与自动化:如PLC模块、继电器驱动、电机控制电路中,提供稳定可靠的开关功能。 5. 消费类电子产品:如智能家电、遥控器、充电器等,用于低电压、中等电流的控制场合。 该器件采用小外形封装(SOT-23),适合高密度PCB布局,且具有良好的温度稳定性,适用于多种中低功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MMUN2134LT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMUN2134LT1G-ND |
功率-最大值 | 246mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
频率-跃迁 | - |